RP1L080SNTR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RP1L080SNTR |
---|---|
Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 8A MPT6 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | MPT6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
Grundproduktnummer | RP1L080 |
RP1L080SNTR Einzelheiten PDF [English] | RP1L080SNTR PDF - EN.pdf |
RES 68K OHM 5% 1.25W 3916
RES 10 OHM 5% 1.5W 4122
SANKEN 0.1A2000V
RP1E100RNFPFT ROHM
ROHM SOP6
RP1S3CA680RJE
MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
RES 27K OHM 5% 1.5W 4122
RP1E100RNFPFTR ROHM
MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
RES 56 OHM 5% 1.5W 4122
ROHM MPT6
MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
ROHM MPT6
RP1E100XN ROHM
RP1S5CB2K00JE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RP1L080SNTRRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|